Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9A; Idm: 40A; 2.1W; MicroFET ONSEMI
Produkta nr.: FDME820NZT
Zīmols
Vairāk līdzīgu produktu
Piegādes termiņi
2024-05-16 Paredzamā piegāde, pasūtot tagad
Prece tiek pasūtīta no piegādātāja noliktavas. Ja piegādātājs šo preci nevarēs piegādāt līdz norādītajam datumam, informēsim Jūs e-pastā..
 Nav | Piegādātāju noliktava |
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Piegāde uz norādīto ar adresi ar kurjeru
Vairāk par 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | Bez maksas |
Līdz 35,00 € (Pasūtījumi līdz 1000 kilogrami) | 3,99 € |
Piegāde uz DPD Paku skapi
Piegāde uz DPD Paku skapi
Pēc preču nodošanas kurjeram mēs Jūs informēsim e-pastā. Bezmaksas piegāde pasūtījumiem virs 35 EUR.
2,50 €
Preces apraksts
Zīmols
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9A; Idm: 40A; 2.1W; MicroFET ONSEMI
Specifikācijas
Piegādātāja prece apraksts
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9A; Idm: 40A; 2.1W; MicroFET
Piegādātāja preces parametri
Product code
FDME820NZT
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FDME820NZT
Product ID
U-2349861
Case
MicroFET
Drain current
9A
Drain-source voltage
20V
Gate charge
8.5nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
24mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.1W
Pulsed drain current
40A
Type of transistor
N-MOSFET
Informācija, ko sniedz piegādātājs var atšķirties no paša produkta. Ja pamanījāt nesakritības lūdzam ziņot mums rakstot uz [email protected].
